TO-247-2L Diodos Schottky de SiC

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Configuración If - Corriente delantera Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión delantera Ifsm - Corriente de sobretensión delantera Ir - Corriente inversa Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 20A TO-247-2L 548En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 54 A 1.2 kV 1.48 V 140 A 3 uA - 55 C + 175 C DCK Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W 28En existencias
30Fecha prevista: 01/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 10A TO-247-2L 497En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 30 A 1.2 kV 2 V 72 A 1 uA - 55 C + 175 C DCK Tube
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 15A TO-247-2L 97En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 44 A 1.2 kV 1.48 V 120 A 2 uA - 55 C + 175 C DCK Tube
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V 20A TO-247-2L 479En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 50.1 A 650 V 1.45 V 120 A 5 uA - 55 C + 175 C DCK Tube
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 1200V 40A TO-247-2L 53En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 96 A 1.2 kV 1.48 V 260 A 10 uA - 55 C + 175 C DCK Tube
Toshiba Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY 67En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Littelfuse Diodos Schottky de SiC 650V 10A TO-247-2L 40En existencias
450Fecha prevista: 22/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 10 A 650 V 1.37 V 60 A 1 uA - 55 C + 175 C DCK Tube