Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Resultados: 45
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 16/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 19/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 19/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 16/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 16/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
780Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Fecha prevista: 14/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07L-M3