Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Tipos de Diodos y rectificadores
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Vr - Tensión inversa
Vf - Tensión delantera
If - Corriente delantera
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Hoja de datos
158En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 15 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD
Hoja de datos
835En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 69 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
Hoja de datos
862En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Hoja de datos
132En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD
Hoja de datos
225En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 1.2 kV 1.5 V 27 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Hoja de datos
43En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.7 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247
Hoja de datos
225En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 30A SiC SBD
Hoja de datos
164En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.5 V 60 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
Hoja de datos
45En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 50 A SiC SBD
Hoja de datos
145En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
Hoja de datos
52En existencias
120Fecha prevista: 13/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
Hoja de datos
65En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
Hoja de datos
23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 10 A SiC SBD
Hoja de datos
325En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 50A SiC SBD
Hoja de datos
44En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 7 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology Módulos de diodos PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Diode Modules Screw Mount SOT-227-4 1.2 kV 1.5 V