GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Qorvo FET de GaN DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Hoja de datos
54En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Hoja de datos
244En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo FET de GaN DC-4GHz 45W GaN 48V
Hoja de datos
68En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W