Resultados: 6
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 171.869En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 2.886En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TISON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 20.029En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 24 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 15V-30V 779En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS 201En existencias
10.000Fecha prevista: 17/09/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 36 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC 709En existencias
4.000Fecha prevista: 19/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 14 nC - 55 C + 150 C 9.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel