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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
IXYS Módulos MOSFET ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
Hoja de datos
Plazo producción 41 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 100 V 190 A 2.2 mOhms - 15 V, + 15 V 2 V - 55 C + 150 C Tube
IXYS Módulos MOSFET ISOPLUS 6NCH 75V 255A
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 48 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104
Si SMD/SMT ISOPLUS-DIL-17 N-Channel 75 V 255 A 1.3 mOhms - 15 V, + 15 V 2.3 V - 55 C + 150 C Tube