Resultados: 10
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
971En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
695En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
1.463En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-3PFM-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 3.7 A 1.5 Ohms - 6 V, + 22 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
102En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
322En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
800En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1.074En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
6En existencias
450Fecha prevista: 25/06/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
74En existencias
450Fecha prevista: 20/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFET de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
23En existencias
3.150Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement