Advanced Linear Devices MOSFET

Resultados: 109
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Hoja de datos
23En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
18En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 780 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
32En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10 V 79 mA 14 Ohms - 12 V, 12 V 1.4 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.02 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
Hoja de datos
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.12 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Hoja de datos
47En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Hoja de datos
176En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
Hoja de datos
34Fecha prevista: 11/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 1.72 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY
Hoja de datos
50Fecha prevista: 11/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

Si SMD/SMT N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 3 V - 40 C + 85 C 500 mW Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
Hoja de datos
350Fecha prevista: 12/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.52 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.90V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA - 12 V, 12 V 1.92 V - 40 C + 85 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.22 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.30V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.28 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 1 semana
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 300 Ohms - 12 V, 12 V 2.42 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.60V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.62 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V
Hoja de datos
Plazo producción 3 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.72 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube
Advanced Linear Devices MOSFET Dual MOSFET ARRAY Vt=2.80V
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 10.6 V 80 mA 400 Ohms - 12 V, 12 V 2.82 V 0 C + 70 C 500 mW Enhancement SAB Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFET PREC N-CHAN EPAD CMOS MOSFET ARRAY
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10 V 70 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 20 mV 0 C + 70 C 500 mW Depletion Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 220 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si SMD/SMT SOIC-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 420 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube

Advanced Linear Devices MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50

Si Through Hole PDIP-16 N-Channel 4 Channel 10.6 V 80 mA 25 Ohms - 12 V, 12 V 820 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement EPAD Tube