TSM Serie MOSFET

Resultados: 19
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET 8.422En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 28 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET 3.886En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 77 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET 8.207En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET 1.846En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 124 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 50 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET 808En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 161 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 113 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 161 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 112 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 79 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 104 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 104 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 107 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 54 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 51 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 180.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 51 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 37 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel
Taiwan Semiconductor MOSFET 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56-8 N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel