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SICW025N065H-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW025N065H-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW025N065H-BP
Price: 11.45 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

833-SICW025N065H-BP

Fabr. N.º:

SICW025N065H-BP

Fabr.:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET,TO-247AB

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

SICW025N065H-BP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	11,45 €	11,45 €
	8,02 €	80,20 €
	6,58 €	658,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247AB-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	107 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.1 V
Qg (carga de compuertas):	275 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia delantera: mín.:	18.2 S
Empaquetado:	Bulk
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	50 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	29 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	28 ns

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SICW025N065H-BP Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de Carburo de Silicio (SiC) SICWx

Los MOSFET de Carburo de Silicio (SiC)SICWx de Micro Commercial Components (MCC) son MOSFET SiC a 650 V de conmutación de alta velocidad. Estos MOSFET utilizan la tecnología MOSFET SiC y son adecuados para aplicaciones de alta tensión, garantizando un funcionamiento fiable en entornos industriales adversos. Los MOSFET SICWx están diseñados con un R_DS(on)bajo y una carga de compuertas baja para reducir las pérdidas de conmutación y contribuir a una mayor eficiencia general del sistema. El diseño para aumentar la eficiencia y el encapsulado TO-247 ofrecen un rendimiento térmico superior, mientras que las opciones de 3 o 4 pines (pines de fuente Kelvin) aumentan la versatilidad. Los MOSFET SICWx están fabricados con un diseño robusto y con capacidad de avalancha para permitir una mejor gestión térmica y una mayor eficiencia. Estos MOSFET son ideales para su uso en fuentes de alimentación, telecomunicaciones, sistemas de energía renovable y accionamientos de motores.

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.