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PJL9580_R2_00201

Name: Panjit PJL9580_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJL9580_R2_00201
Price: 1.6 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

241-PJL9580_R2_00201

Fabr. N.º:

PJL9580_R2_00201

Fabr.:

Panjit

Descripción:

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

PJL9580_R2_00201 Hoja de datos (PDF)

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	0,674 €	67,40 €
	0,552 €	276,00 €
	0,501 €	501,00 €
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	0,425 €	1.062,50 €
	0,402 €	2.010,00 €
	0,399 €	3.990,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOP-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	9 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	54 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	22 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	10.4 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	8.4 ns
Alias de parte #:	PJL9580
Peso unitario:	83 mg

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PJL9580_R2_00201 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed with high-speed switching and operate from 4A to 125A continuous drain current. These enhancement-mode MOSFETs are non-automotive devices that operate from -55°C to 175°C junction and storage temperature range. The 150V N-channel MOSFETs are 100% avalanche tested and 100% Rg tested. These N-channel MOSFETs are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0. The 150V N-channel MOSFETs are ideal for Battery Management Systems (BMS), Brushless Direct Current (BLDC), and Switch Mode Power Supplies (SMPS).