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MCTK105N60FH-TP

Name: Micro Commercial Components (MCC) MCTK105N60FH-TP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-MCTK105N60FH-TP
Price: 4.15 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

833-MCTK105N60FH-TP

Fabr. N.º:

MCTK105N60FH-TP

Fabr.:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L-KS

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

MCTK105N60FH-TP Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	4,15 €	4,15 €
	2,76 €	27,60 €
	2,19 €	219,00 €
	1,95 €	975,00 €
	1,84 €	1.840,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	1,56 €	3.120,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TOLL-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	600 V
Id: corriente de drenaje continuo:	17.5 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	105 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	57 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	107 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	22 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	35 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	65 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	100 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-4-7 (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia de 600 V y máxima unión de canal N

Los MOSFET de potencia de 600 V y máxima unión de canal N de Micro Commercial Components (MCC) ofrecen baja resistencia a la conexión, baja pérdida de conducción y conmutación suave. Estos MOSFET están diseñados con un diodo integrado de recuperación inversa rápida. Los MOSFET de potencia de 600 V ofrecen una carga de compuertas muy baja y una impedancia baja. Estos MOSFET también cumplen la clasificación de inflamabilidad epoxi UL 94V-0. Los MOSFET de potencia de 600 V no contienen plomo ni halógenos, y cumplen lo establecido en la directiva RoHS. Entre las aplicaciones típicas se incluyen convertidores CA-CC, accionamientos de motores, controladores LED, adaptadores de carga, sistemas de gestión de energía, microinversores solares y sistemas de almacenamiento de energía (SAE).