CG2H30070F

MACOM
941-CG2H30070F
CG2H30070F

Fabr.:

Descripción:
FET de GaN 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

Modelo ECAD:
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En existencias: 32

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Pedido:
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Fecha prevista: 27/04/2026
Plazo de producción de fábrica:
26
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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444,12 € 444,12 €
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Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: FET de GaN
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Screw Mount
440224
N-Channel
120 V
12 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 150 C
Marca: MACOM
Kit de desarrollo: CG2H30070F-TB1
Ganancia: 12.4 dB
Frecuencia operativa máxima: 4 GHz
Frecuencia operativa mínima: 0 Hz
Energía de salida: 70 W
Empaquetado: Tray
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN
Tipo de transistor: GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente): - 10 V, 2 V
Peso unitario: 10,466 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85412999
ECCN:
3A001.b.3.a.4

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.