AS4C128M32MD2A-18BINTR

Alliance Memory
913-4C12832MD2A18BIT
AS4C128M32MD2A-18BINTR

Fabr.:

Descripción:
DRAM LPDDR2, 4G,128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 533 MHZ, Industrial TEMP - Tape & Reel

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 2000   Múltiples: 2000
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
12,03 € 24.060,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - LPDDR2
4 Gbit
32 bit
533 MHz
FBGA-134
128 M x 32
18 ns
1.14 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
AS4C128M32MD2A-18
Reel
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 2000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.): 130 mA
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Low-Power DDR2 SDRAM

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM are high-speed CMOS and dynamic-access memory internally configured as an 8-bank device. These DDR2 SDRAM feature 4-bit pre-fetch DDR architecture, programmable READ and WRITE latencies, auto Temperature Compensated Self Refresh (TCSR), and clock stop capability. The DDR2 SDRAM reduces the number of input pins in the system by using a double data rate architecture on the Command/Address (CA) bus. This CA bus transmits address, command, and bank information. These DDR2 SDRAM can achieve high-speed operation by using a double data rate architecture on the DQ (bidirectional/differential data bus) pins.