PSRAM (Pseudo SRAM) Semiconductores

Tipos de Semiconductores
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
Hoja de datos
3.631Fecha prevista: 20/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
Hoja de datos
198Fecha prevista: 24/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 66

Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
Hoja de datos
72.367Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
Bobina: 10.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 15 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4.800
Múlt.: 4.800

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000