GaN Semiconductores

Resultados: 737
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Power Integrations Conversores CA/CC 90 W (85-265 VAC) 1.785En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Qorvo CMD262
Qorvo Amplificador de RF 26-28 GHz (K, Ka Band) GaN Power Amp
7En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Qorvo TGA2598
Qorvo Amplificador de RF 6-12GHz PAE 31% GaN Gain 21dB IL 9dB 100En existencias
Mín.: 50
Múlt.: 50

Infineon Technologies Controlador de puerta LOW SIDE DRIVERS 3.334En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 4.000

Power Integrations Conversores CA/CC 85 W (85-265 VAC) 1.810En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Qorvo Amplificador de RF 13.75-14.5GHZ, 50W PA DOT
4En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 25

Power Integrations Conversores CA/CC 70 W (85-265 VAC) 1.920En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MACOM Amplificador de RF DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


MACOM FET de GaN GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 50

Qorvo Amplificador de RF 8W Reconfigurable S/X-Band PA
25En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 250

Texas Instruments Controlador de puerta 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHT 703En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Texas Instruments Controlador de puerta 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHT 305En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MACOM Amplificador de RF MMIC GaN HEMT, G28V4-1, 25W, 5.2-5.9 GHz
12En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Power Integrations Conversores CA/CC 90 W (85-265 VAC) 1.980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

MACOM Amplificador de RF GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi Conversores CA/CC ACTIVE CLAMP FLYBACK 2.322En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor 337En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.800

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor 728En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

STMicroelectronics FET de GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor 768En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

STMicroelectronics Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 879En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000

Analog Devices Amplificador de RF 1-22GHz 15W PA
10En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP 2.139En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.500

EPC FET de GaN 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP 900En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 1.000

Infineon Technologies FET de GaN CoolGaN Drive HB 600 V G5 2.393En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000
Infineon Technologies FET de GaN 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode 2.646En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 3.000