PSRAM (Pseudo SRAM) Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RA6M RZ/A SoC) 279En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ext. Temp., SOP8 1.975En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8 2.903En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR 9.974En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 394En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb 2.081En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 127

Alliance Memory DRAM 128M 8Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT 462En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2.379En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 5
Bobina: 2.500
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 37

AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed 8.730En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1.887En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 817En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 353

AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI x8,x16 DDR 200MHz, 1.8V Temp BGA24 suggested alt APS256XXN-OB9X-BG same device higher speed 3.668En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 170En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 13

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 159En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 15

AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 354En existencias
2.880Fecha prevista: 20/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 501En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 431En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1


AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 79En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL 240En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 36


AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
45.058Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 133MHz, 3V, Ind. Temp., BGA24
9.290Fecha prevista: 27/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

AP Memory APS12808O-OBR-WB
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
4.975Fecha prevista: 28/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
3.631Fecha prevista: 20/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1