MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4