MOSFET de alimentación MDmesh™ II

Los MOSFET de alimentación MDmesh™ II de STMicroelectronics asocian una estructura vertical a la distribución en tiras de STM para conseguir uno de los niveles de resistencia de encendido y de carga de compuertas más bajos de la industria, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes. Estos MOSFET de alimentación MDmesh™ II están completamente aislados, tienen un paquete de perfil bajo con ruta de fugas ampliada desde el pin hasta la placa del disipador. Su resistencia frente a las avalanchas está probada al 100% y su capacitancia de entrada, su carga de compuertas, y su resistencia de entrada de compuertas son bajas.
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
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STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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602En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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903En existencias
Mín.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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800Pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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686En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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370En existencias
Mín.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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643En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
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995Fecha prevista: 15/06/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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1.200Fecha prevista: 18/05/2026
Mín.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p
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879En existencias
Mín.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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183En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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936En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
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255En existencias
Mín.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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127En existencias
Mín.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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83En existencias
Mín.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
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No en almacén Plazo producción 14 Semanas
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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No en almacén Plazo producción 16 Semanas
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Múlt.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
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No en almacén Plazo producción 14 Semanas
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Múlt.: 1.000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3