Resultados: 7
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
24En existencias
8Fecha prevista: 16/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Hoja de datos
32En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module
Hoja de datos
32En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Hoja de datos
32Fecha prevista: 16/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
Hoja de datos
32Fecha prevista: 02/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Hoja de datos
32Fecha prevista: 16/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
Hoja de datos
30Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray