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STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 3.32 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-STDRIVEG212QTR

Fabr. N.º:

STDRIVEG212QTR

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	3,32 €	3,32 €
	2,20 €	22,00 €
	2,00 €	50,00 €
	1,70 €	170,00 €
	1,62 €	405,00 €
	1,45 €	725,00 €
	1,36 €	1.360,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	1,14 €	3.420,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
Producto:	Gate Driver
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-18
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	1.8 A
Tensión del suministro - Mín:	10.3 V
Tensión del suministro - Máx:	18 V
Configuración:	Inverting, Non-Inverting
Tiempo de establecimiento:	22 ns
Tiempo de caída:	13 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	STMicroelectronics
Kit de desarrollo:	EVLSTDRIVEG212
Tiempo de retraso de apagado máximo:	65 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	65 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	900 uA
Voltaje de salida:	220 V
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	65 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.8 Ohms
Apagado:	Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN
Nombre comercial:	STDRIVE

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG212 220V Half-Bridge Gate Driver

STMicroelectronics STDRIVEG212 220V High-Speed Half-Bridge Gate Driver is optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. The high-side driver section is designed to support a voltage rail of up to 220V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High-current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG212 optimized for driving high-speed GaN.