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EPC2304

Name: EPC EPC2304
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2304
Price: 7.22 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

65-EPC2304

Fabr. N.º:

EPC2304

Fabr.:

EPC

Descripción:

FET de GaN EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

EPC2304 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 15.000

Fecha prevista: 17/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 18

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	7,22 €	7,22 €
	4,96 €	49,60 €
	3,89 €	389,00 €
	3,66 €	3.660,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	3,30 €	9.900,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	FCQFN-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	200 V
Id: corriente de drenaje continuo:	133 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	6 V, - 4 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	21 nC
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso unitario:	31,500 mg

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Atributos seleccionados: 0

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EPC2304 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN^® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance R_DS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (Q_G) and zero reverse recovery (Q_RR) losses. This 200V_DS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.