18 bit Semiconductores

Tipos de Semiconductores

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS
Texas Instruments FIFO 512 x 18 Synchronous FIFO Memory No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 160
Múlt.: 160

Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 160
Múlt.: 160

Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 270
Múlt.: 90

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O No en almacén
Mín.: 1
Múlt.: 1

Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 1
No
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 1
No
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119

ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS No en almacén
Mín.: 119
Múlt.: 119