STMicroelectronics Transistores RF MOSFET

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor Tecnología Id: corriente de drenaje continuo Vds (Tensión separación drenador-fuente) Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Frecuencia de operación Ganancia Energía de salida Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER RF Transistor 148En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. 472En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER RF Transistor 323En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 400
Múlt.: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans No en almacén Plazo producción 23 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600
Bobina: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel