STMicroelectronics MOSFET

Resultados: 7
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package 400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 52 A 45 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 48En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 62 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 93 nC - 55 C + 150 C 358 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 70 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.037Ohm 58A No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 710 V 58 A 37 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 143 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube