STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
593En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Hoja de datos
1.194Fecha prevista: 02/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube