STMicroelectronics IGBT

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Empaquetado / Estuche
Estilo de montaje
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Voltaje puerta-emisor máximo
Corriente continua del colector a 25 C
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Cualificación
Empaquetado
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
766En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.02 V 20 V 87 A 441 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
Hoja de datos
400En existencias
600Fecha prevista: 13/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube