Transistores RF JFET

Resultados: 24
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de operación Ganancia Polaridad de transistor Vds (Tensión separación drenador-fuente) Vgs (tensión de separación compuerta-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado
Skyworks Solutions, Inc. Transistores RF JFET .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz 30.344En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

pHEMT GaAs N-Channel - 40 C + 85 C SMD/SMT SC-70-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores RF JFET 0.18 mm Pwr pHEMT 200En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores RF JFET 0.60 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores RF JFET 0.25 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

pHEMT Reel
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 90En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 11.531En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores RF JFET RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2.813En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores RF JFET RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12.597En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 15.000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 6.934En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 10.000

pHEMT GaAs 24 GHz 13.8 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 812En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 13.7 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT MICRO-X-4 Bulk
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 64En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores RF JFET 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 1.907En existencias
15.000Fecha prevista: 28/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 15.000

pHEMT GaAs 12 GHz 12.2 dB 4 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 195En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

pHEMT GaAs Bulk
Qorvo Transistores RF JFET 0.40 mm Pwr pHEMT No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores RF JFET 0.80mm Pwr pHEMT Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores RF JFET 1.20mm Pwr pHEMT Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100

pHEMT Tray
Qorvo Transistores RF JFET 1.60mm Pwr pHEMT No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

pHEMT Reel
MACOM NPT2010
MACOM Transistores RF JFET Amplifier, 48V 100W DC-2.2GHz HEMT No en almacén Plazo producción 22 Semanas
Mín.: 20
Múlt.: 20

HEMT Si
MACOM GTRB267008FC-V1-R0
MACOM Transistores RF JFET No en almacén
Mín.: 50
Múlt.: 50
Bobina: 50
Reel
MACOM GTRB267008FC-V1-R2
MACOM Transistores RF JFET No en almacén
Mín.: 250
Múlt.: 250
Bobina: 250
Reel
CEL Transistores RF JFET 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C No en almacén
Mín.: 15.000
Múlt.: 15.000
Bobina: 15.000

pHEMT GaAs 20 GHz 11.9 dB 3 V - 3 V 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel
CEL CE7530K2-C1
CEL Transistores RF JFET No en almacén
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
Bobina: 10.000

Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL Transistores RF JFET No en almacén
Mín.: 10.000
Múlt.: 10.000
Bobina: 10.000

Reel
MACOM CGHV1J070D-GP5
MACOM Transistores RF JFET DIE, 70W, 18.0GHz, GaN HEMT, GP5, 510438
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 250
Múlt.: 50