Transistores RF de Infineon

Los transistores RF de Infineon incluyen amplificadores con bajo nivel de ruido y transistores con un nivel alto de linealidad. Los dispositivos de la categoría de bajo nivel de ruido están basados en la tecnología bipolar de silicio. La frecuencia de transición moderada de fT <20 GHz ofrece facilidad de uso y estabilidad. La tensión de ruptura puede soportar de forma segura una tensión de alimentación de 5 V. Estos transistores son adecuados para utilizarlos en AM sobre VHF/UHF de hasta 14 GHz.

Los transistores de alto nivel de linealidad ofrecen un OIP3 (Salida de punto de interceptación de 3er orden) superior a 29 dBm. Están basados en la tecnología bipolar de silicio de alto volumen y SiGe:C de Infineon para los mejores valores de ruido. Estos dispositivos son perfectos para controladores, preamplificadores y amplificadores de búfer.