Ampleon Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET BLS9G2731LS-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 30 mOhms 2.7 GHz to 3.1 GHz 13 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLS9G2934L-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLS9G2934LS-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 60 mOhms 2.9 GHz to 3.4 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLS9G3135LS-400/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 3.1 GHz to 3.5 GHz 11 dB 400 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray