Ampleon Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS600/SOT502/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS600/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel LDMOS 50 V 57.5 mOhms 915 MHz 18.6 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS750P/SOT539/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF0910H9LS750P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

LDMOS 50 V 90 mOhms 915 MHz 21.5 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF13H9LS750P/SOT1483/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 1.3 GHz 19 dB 750 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C Screw Mount SOT1135A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET Power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET Power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 69 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 19 dB 140 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET Power LDMOS Transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET Broadband pwr LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 140 mOhms 1.5 GHz 17.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF984PS/SOT1121/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 180 mOhms 30 MHz to 860 MHz 22.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF989ES/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms, 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 20 dB 1 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF989S/SOT1275/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLF989/SOT1275/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300
Bobina: 300

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 28.5 dB 48.4 dBm + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

LDMOS 65 V 728 MHz to 821 MHz 17.8 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 30 dB 8 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel