Ampleon Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET B10G2327N55D/PQFN/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.2 dB 46.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

LDMOS 65 V 2.5 GHz to 2.7 GHz 30 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

LDMOS 65 V 4.7 GHz to 5 GHz 30 dB 12 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

LDMOS 52 V 700 MHz to 1 GHz 35 dB 47 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 125 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 300
Múlt.: 300
Bobina: 300

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLC2425M10LS250/SOT1270/TRAYDP
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel LDMOS 65 V 40.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.4 dB 250 W + 225 C SMD/SMT SOT1270-1-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET BLC2425M10LS500P/SOT1250/REELD
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel LDMOS 65 V 45.5 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 14.5 dB 500 W + 225 C SMD/SMT SOT1250-1-5 Reel