Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET CLL3H0914L-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel GaN SiC 50 V 35 mOhms 900 MHz to 1.4 GHz 17 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502A-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET CLL3H0914LS-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

N-Channel GaN SiC 50 V 35 mOhms 900 MHz to 1.4 GHz 17 dB 700 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray