Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares RF

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Serie
Tipo de transistor
Tecnología
Polaridad de transistor
Frecuencia de operación
Colector CC/Ganancia base hfe Min
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje emisor-base VEBO
Corriente continua del colector
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Configuración
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
202En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
179En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Reel
Analog Devices / Maxim Integrated Transistores bipolares RF 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Reel