STMicroelectronics Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

N-Channel Si 12 A 90 V 1.5 GHz 17.3 dB 80 W + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk