STMicroelectronics Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

N-Channel Si 10 A 250 V 150 MHz 21.3 dB 175 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M174 Bulk
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET POWER R.F.
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 50
Múlt.: 50

N-Channel Si 20 A 250 V 200 MHz 29 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177 Bulk
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Hoja de datos
Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W + 150 C SMD/SMT M177 Bulk