STMicroelectronics Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 120
Múlt.: 120
Bobina: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel