STMicroelectronics Transistores RF MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 160
Múlt.: 160
Bobina: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 160
Múlt.: 160
Bobina: 160

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.625 GHz 18 dB 80 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel