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CEL Low Noise FETs & ICs
07/09/2023
07/09/2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Qorvo pHEMT de GaAs discreto de 600 µm QPD2060D
04/19/2022
04/19/2022
Proporciona 28 dBm de potencia de salida en P1dB, una ganancia de 12 dB y una eficiencia de potencia añadida del 55 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT de GaAs discreto de 800 µm QPD2080D
04/19/2022
04/19/2022
Proporciona 29,5 dBm de potencia de salida en P1dB, una ganancia de 11,5 dB y una eficiencia de potencia añadida del 56 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT de GaAs discreto de 1200 µm QPD2120D
04/19/2022
04/19/2022
Proporciona 31 dBm de potencia de salida en P1dB, una ganancia de 11,5 dB y una eficiencia de potencia añadida del 57 % a 1 dB.
Qorvo pHEMT de GaAs discreto de 1600 µm QPD2160D
04/19/2022
04/19/2022
Proporciona 32,5 dBm de potencia de salida en P1dB, una ganancia de 10,4 dB y una eficiencia de potencia añadida del 63 % a 1 dB.
Qorvo QPD2018D 180um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2022
02/14/2022
Utilizes Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2025D 250um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2022
02/14/2022
Developed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die
02/14/2022
02/14/2022
Designed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process.
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