NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

Resultados: 1.613
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria
Organización
Tiempo de acceso
Frecuencia máxima de reloj
Tipo de interfaz
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Corriente de suministro (máx.)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M
Hoja de datos
53En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
No
9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 140 mA, 150 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Hoja de datos
321Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Hoja de datos
72Fecha prevista: 27/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 2 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 5 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 2 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 2 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 10
Múlt.: 10

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 18
Múlt.: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 18
Múlt.: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 5 Semanas
Mín.: 14
Múlt.: 14
72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 6 Semanas
Mín.: 15
Múlt.: 15

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 3 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM NBT SRAMs, 9Mb, x32, 250MHz, Industrial Temp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 5 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

9 Mbit 256 k x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 4 Semanas
Mín.: 72
Múlt.: 72

9 Mbit 256 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 175 mA, 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 14
Múlt.: 14
72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 500 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-209
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 18 144M
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 15
Múlt.: 15

144 Mbit 4 M x 18 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 315 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 4M x 36 144M
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 15
Múlt.: 15

144 Mbit 2 M x 36 6.5 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 350 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 15
Múlt.: 15

144 Mbit 8 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 305 mA, 380 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 15
Múlt.: 15

144 Mbit 8 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 450 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 15
Múlt.: 15

144 Mbit 8 M x 18 4.5 ns 333 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 420 mA, 550 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 15
Múlt.: 15

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 410 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray