R1RW0408DGE-2PI#B1

Name: Renesas Electronics R1RW0408DGE-2PI#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RW0408DGE2PIB1
Price: 10.74 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

968-R1RW0408DGE2PIB1

Fabr. N.º:

R1RW0408DGE-2PI#B1

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS -40TO85C

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

R1RW0408DGE-2PI#B1 Hoja de datos

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	SRAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Tiempo de acceso:	12 ns
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Tensión del suministro - Mín:	3 V
Corriente de suministro (máx.):	100 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOJ-36
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tipo de memoria:	SRAM
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	22
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

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TARIC:: 8542324500
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.