R1RP0408DGE-2LR#B1

Name: Renesas Electronics R1RP0408DGE-2LR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RP0408DGE2LRB1
Price: 10.74 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

968-R1RP0408DGE2LRB1

Fabr. N.º:

R1RP0408DGE-2LR#B1

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

SRAM SRAM 4MB FAST X8 5V SOJ 12NS 0TO70C

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

R1RP0408DGE-2LR#B1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 60

Existencias:: 60 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,74 €	10,74 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	SRAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	512 k x 8
Tiempo de acceso:	12 ns
Tensión del suministro - Máx:	5.5 V
Tensión del suministro - Mín:	4.5 V
Corriente de suministro (máx.):	130 mA
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOJ-36
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
Tipo de memoria:	SRAM
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	22
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

R1RP0408DGE-2LR#B1 Hoja de datos (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2026-2-1 (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8542324500
USHTS:: 8542320041
ECCN:: 3A991.b.2.a

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.