Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

Resultados: 33
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria
Organización
Tiempo de acceso
Tipo de interfaz
Tensión del suministro - Máx
Tensión del suministro - Mín
Corriente de suministro (máx.)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.500
Múlt.: 1.500
Bobina: 1.500

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
Hoja de datos
Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Hoja de datos
Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-44 Reel