IS37SM Flash Memory Devices

ISSI IS37SM Flash Memory Devices are 1Gb/2Gb devices that are based on the standard parallel NAND Flash. These SLC SPI-NAND memory devices provide an advanced write protection mechanism for data security, such as software write protection with a block lock register. The IS37SM Flash memory devices feature Single-Level Cell (SLC) technology, user-selectable internal 8-bit ECC, and first page auto-load on power up. These devices include ten pages of One-Time Programmable (OTP) Flash memory area and offer 10 years of data retention. The IS37SM Flash memory devices are ideal for systems that require a minimum pin count.

Resultados: 20
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Serie
Tamaño de memoria
Tipo de interfaz
Organización
Tipo de temporización
Anchura de bus de datos
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Corriente de suministro (máx.)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
Hoja de datos
466En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 517En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 18En existencias
480Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI Flash NAND 1G 3.3V 104MHz Serial Flash NAND
Hoja de datos
18En existencias
7.680Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
Hoja de datos
107En existencias
176Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray

ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480Fecha prevista: 22/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
Hoja de datos
480Fecha prevista: 22/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
Hoja de datos
480Fecha prevista: 22/04/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
: 4.000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
: 4.000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
: 4.000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
: 2.500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
: 4.000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI Flash NAND 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 4.000
Múlt.: 4.000
: 4.000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
: 1.000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI Flash NAND 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 480
Múlt.: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C