ISSI RLDRAM2 DRAM

Resultados: 114
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Anchura de bus de datos
Frecuencia máxima de reloj
Empaquetado / Estuche
Organización
Tiempo de acceso
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
Hoja de datos
395En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Hoja de datos
63En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 7 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 300 MHz WBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC36800 Bulk
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 8 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 240
Múlt.: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 12 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

SDRAM Mobile - LPDDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Reel
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 533 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 36 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC36160A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 400 MHz WFCBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V 0 C + 70 C IS49NLC36800
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLC96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 533 MHz WBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 400 MHz FBGA-144 32 M x 18 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz FBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 26 Semanas
Mín.: 104
Múlt.: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk