R1RP0416DGE-2PR#B1

Name: Renesas Electronics R1RP0416DGE-2PR#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1RP0416DGE2PRB1
Price: 11.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

968-R1RP0416DGE2PRB1

Fabr. N.º:

R1RP0416DGE-2PR#B1

Fabr.:

Renesas Electronics

Descripción:

SRAM SRAM 4MB FAST X16 5V SOJ 12NS 0TO70C

Ciclo de vida:

Descatalogado:

Retirada prevista. El fabricante va a descatalogar este producto.

Hoja de datos:

R1RP0416DGE-2PR#B1 Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	SRAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	4 Mbit
Organización:	256 k x 16
Tiempo de acceso:	12 ns
Tensión del suministro - Máx:	5.5 V
Tensión del suministro - Mín:	4.5 V
Corriente de suministro (máx.):	160 mA
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 70 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOJ-44
Empaquetado:	Tray
Marca:	Renesas Electronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Tipo de memoria:	SRAM
Tipo de producto:	SRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	18
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Tipo:	High Speed

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USHTS:: 8542320041
ECCN:: EAR99

Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.