DRAM

Resultados: 3
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tamaño de memoria Frecuencia máxima de reloj Empaquetado / Estuche Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
2 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 38 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C