CoolSIC MOSFET de SiC

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
1.390En existencias
480Fecha prevista: 28/01/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
808En existencias
1.920Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
787En existencias
480Fecha prevista: 09/08/2027
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
1.927Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies MOSFET de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC