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SIHK045N60EF-T1GE3

Name: Vishay SIHK045N60EF-T1GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIHK045N60EF
Price: 8.52 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

78-SIHK045N60EF

Fabr. N.º:

SIHK045N60EF-T1GE3

Fabr.:

Vishay Semiconductors

Descripción:

MOSFET TOLL 600V 47A E SERIES

Hoja de datos:

SIHK045N60EF-T1GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.690

Fecha prevista: 13/07/2026

6.000

2.000

Fecha prevista: 12/10/2026

4.000

Fecha prevista: 15/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 46

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	8,52 €	8,52 €
	5,96 €	59,60 €
	4,98 €	498,00 €
	4,70 €	2.350,00 €
	4,46 €	4.460,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
	4,45 €	8.900,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	66 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	12.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	45 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	135 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	IL
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia delantera: mín.:	62 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	SIHK EF
Cantidad del paquete de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R_(DS)ON) multiplied by gate charge (Q_g). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at V_GS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co_(er) and Co_(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.