BC846BPDW1T1G Transistores bipolares - BJT

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Configuración Corriente del colector DC máxima Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje colector-base VCBO Voltaje emisor-base VEBO Voltaje de saturación colector-emisor Pd (disipación de potencia) Producto fT para ganancia de ancho de banda Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Cualificación Serie Empaquetado
onsemi Transistores bipolares - BJT 100mA 80V Dual Complementary 55.730En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies BC846BPDW1T1G
Infineon Technologies Transistores bipolares - BJT N/A
Si NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C

onsemi Transistores bipolares - BJT SS DUAL GEN XSTR 9.115En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 250 mV, 300 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistores bipolares - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR 35En existencias
153.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistores bipolares - BJT SS SC88 DUAL GEN XSTR 30.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP Dual 100 mA 65 V 80 V 6 V 600 mV, 650 mV 380 mW 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q100 BC846BPDW1 Reel, Cut Tape, MouseReel